1)第四百二十九章:预热_工业之流光岁月
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  没有管台下反应,这次来ISS大会,还在美国佬的地盘砸场子,直接摆明车马要怼美国半导体行业巨人英特尔公司,质疑人家行业顶级大佬所留下的金科玉律,而且还是经受住了时间考验的那种。

  嗯.....

  这美国人要是还能稳住,那绝对不可能,所以倪光南总工也早有准备,直接不理会其它,继续埋头演讲,不给其他人说话的机会,有啥事儿,你们都给我憋着。

  要说这种情况吧,倒是跟几十年后大学老师在台上讲课,然后台下众多学生各种千奇百怪姿势很一样,但老师却内心毫无波动,甚至还能倒背圆周率,更兼计划回头应该给那些学生挂科。

  继续不急不缓地演讲,整个过程给人感觉是情感上毫无波澜,绝对是那种没看过《演讲与口才》的业余讲师。

  “当价格不变时,在单位面积的集成电路上可容纳元器件数目,每隔8-24个月便会增加一倍,这是英特尔公司的戈登摩尔博士所提出,并且根据前二十年的半导体集成电路行业发展情况看,似乎也完美印证此处,甚至我们再往后三十年,也同样还能继续维持下去。”

  先来个小小地吹捧,类似欲扬先抑的反套路使用,不过这种效果却往往都能起到不错的作用,所以不该少的是一样都不能少。

  “现在主流的半导体工艺已经过度到微米,各大公司都在攻克微米工艺技术。那我说一个问题,半导体工艺技术是否能够持续保证每两年更新换代一次,这个问题可能有人说可以随着时间的发展而解决,但在我看来,就目前传统光刻机技术路线而言,十年之内想要突破0.微米是很困难。”

  十年之内,也就是在2000年左右让光刻机突破0.微米,以欧美这些科研人员来做,好像全都是走干式光刻机台路子,这难度还真不是一般的大。

  真正让光刻机突破微米为单位的时代,实际还是位华裔人士:林本坚。

  这位大佬在IB工作的970到992年之间,那是带领团队先后完成微米、微米、微米光刻工艺发展攻关,每一步跃进在当时都是引领产业界最前沿,属于当时最顶级的工艺技术。

  而产业界一直要使用好几十年的“深紫外线光源”技术,则是这位大佬在975年所做出,在当时是光刻技术最短波长的光线。

  能够带领IB公司的光刻工艺制程团队攻坚的人物,全球范围之内,敢说专精于此项技术的绝不超过十人,林本坚则是在这排名当中很靠前的神级人物。

  在上位面,也是在992年,这位选择加入台积电,用他当时所掌握的世界最前沿工艺制程技术带着台电一路发展壮大,并依靠独门绝学“侵润式光刻技术”带领台电实现三级跳,在2000年之后,最终成为

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