，它确实无法和同时期的砷化镓射频芯片相比，目前横亘在全世界科研界面前头等难题便在于此，不过我们团队成功开发出一次S混合结构，从而能够解决功率过小问题，使其可以初步满足中低功率微波射频所需。”

　　所谓S混合结构，实际就是SiGeBiS工艺，中文全称为：硅锗双极-互补金属氧化物半导体，这东西在功率上面相对还算勉强能接受，并且还完美继承S工艺加工流程，成本也足够低廉，是一种很不错的半导体射频工艺技术。

　　SiGeBiS工艺产品性能优点在于成本低，并且功率相对不错，甚至在2000年之后的相控阵雷达大爆发时代，一些不法分子以次充好，为了降低成本，便采用SiGeBiS工艺T/R组件来制造相控阵雷达。

　　好吧，这只是开个玩笑而已，采用采用SiGeBiS工艺制造的T/R组件功耗低、成本低、集成度高，被广泛用于T/R组件小型化和成本控制方面，其中以波段相控阵雷达最有使用价值。

　　SiGeBiS工艺的T/R组件不仅适用于波段相控阵空天预警雷达，在Ka波段的T/R组件方面，因为集成度高、体积小，因此被运用于主动雷达导引头。

　　所谓主动雷达导引头，区别就在于美帝的AI-7麻雀家族和AI-20阿姆拉姆之间，前者因为导引头研发时代的工艺水平限制，无法容纳雷达发射机及接收机，即便勉强上马，这种导引头最终也只能用于AI-54上面。

　　直到固态电子及集成电路出现，雷达组件可以有望实现小型化，才在空空导弹内实现雷达波的发射及接收一手包办，而这便是主动雷达导引头的作用。

　　美帝有了小型化的主动雷达导引头，所以搞出AI-20这种神器，而共和国现在却只能捣鼓AI-7家族改进而来的半主动雷达导引头：霹雳。

　　这两种导弹之间有巨大地差距，要说这种代差，大概跟三代机与四代隐身机之间差不多，完全是吊打。

　　所以嘛....

　　有的时候，军用和民用之间差距真的很小，孟怀英原本只是为了实现S射频芯片功率大，才弄出SiGeBiS工艺，却没想到她搞出来的技术拥有非常广阔地军用前景。

　　在孟怀英的SiGeBiS工艺成功之际，由于当时射频芯片在07所的微波暗室进行测试，结果出来之后，便被07所大神们敏锐地发现其军用价值，这时候甚至都已经开始组件团队基于该技术开发相控阵主动雷达导引头。

　　主动雷达导引头发展历中，实际也并非一步到位的直接进入到相控阵雷达时代。

　　九十年代的主动雷达导引头并不是相控阵体制，那时候是传统的“机扫-平板缝隙天线”雷达小型化而来，包

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